Tài liệu Thư viện số

Danh mục TaiLieu.VN

Mô phỏng Monte carlo ba chiều đi ốt p-i-n bán dẫn GaAs có tính đến tương tác Coulomb gần giữa điện tử và lỗ trống

Bài viết Mô phỏng Monte carlo ba chiều đi ốt p-i-n bán dẫn GaAs có tính đến tương tác Coulomb gần giữa điện tử và lỗ trống trình bày: Mô phỏng động lực học ba chiều của các hạt tải trong đi-ốt p-i-n bán dẫn GaAs có tính đến tương tác Coulomb gần giữa điện tử và lỗ trống. Chúng tôi tiến hành mô phỏng linh kiện ứng với các giá trị điện trường ngoài cao cỡ 70, 100 và 130 kV/cm,... Mời các bạn cùng tham khảo.

Từ khóa: Mô phỏng Monte carlo, Bán dẫn GaAs có tính đến tương tác, Tương tác Coulomb gần giữa điện tử, Tính tương tác, Coulomb gần giữa điện tử và lỗ trống

8 p tailieu_hueic 27/05/2018 248 1

Bình luận